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东莞稳定性好真空镀膜厂家

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2021-01-18 19:32:41 * 浏览: 8

东莞电镀工厂用CVD方法制作金属薄膜,几乎适用手所有的金属,但一般低熔点金属不必用CVD方法制膜,用蒸镀和离子镀方法可以得到优质薄膜CVD制金属膜,仅用于制作熔点高、硬度大的膜,如Ta、Mo、W、Re等金属膜。用CVD法还可以制作微细晶粒的纯致密金属,制造形状复杂的金属制品,如钨坩埚、管件、喷嘴等。CVD法涂覆难熔金属的反应式及温度由表10-21给出。。

东莞五金电镀工厂    随着薄膜技术的广泛应用,不但对膜的种类要求繁多,而且对膜的质量要求也更加严格了为了适应这种要求,只采用电阻加热式蒸发源已不能满足蒸镀某些金属和非金属材料的需要。电子束作为蒸镀膜材的热源就是在这种情况下发展起来的。    电子束加热原理是基于电子在电场作用下,获得动能打到膜材上,使膜材加热气化,实现蒸发镀膜。    电子束加热源有如下优点。    ①能获得远比电阻热源更大的能量密度,数值可达到104W/cmsup2,~109W/cmsup2,,因此可以将膜材表面加热到3000℃~6000℃。为蒸镀难溶金属和非金属材料如W、Mo、Ge、Si02、A1203等提供了良好的热源。而且由于被蒸镀的材料是放在水冷坩埚内的,因而可以避免坩埚材料蒸发及其与膜材之间的反应,这对提高膜的纯度是极为重要的。    ②热量可直接加到膜材表面上,热效率高,热传层和热辐射损失少。    电子束加热的缺点是电子枪结构较复杂,而且加速电压较高,高压下所产生的X射线对人有害。此外,由于电子轰击,对多数化合物易产生分解作用,因此不宜蒸镀化合物薄膜。

东莞pvd真空镀设备各种反应方式及生成物见表10-18。

东莞纳米涂层卷绕速度即是带状基材运动的线速度,它是卷绕机构的一个主要技术指栎国内早期镀膜机卷绕速度只有10m/min,现在也只有80m/min~120m/min,在国外日本的EW系列产品中,其卷绕速度已达到300m/min,德国L.H公司生产的镀膜机已达到600m/min,可见随着镀膜技术的发展,卷绕速度有待提高。    ②带状基材的线速恒定问题。这一问题也很重要,因为只有卷绕机构保证带状基材的线速恒定,才能使基材上镀层厚度均匀。这一点对制备带状基材的功能性膜(如电容器膜)尤为重要。    ③带状基材的跑偏和起褶问题。随着卷绕速度的提高,带状基材在卷绕镀膜过程中,起褶和发生偏斜,严重时会造成基材的断裂,使生产中断,既影响生产效率,又浪费材料。因此,在卷绕机构的设计中应充分考虑这一问题。    卷绕镀膜机真空抽气系统分上室下室两组,下室为蒸镀室,要求真空度高,主泵多为油扩散泵。上室为基材卷绕室,要求真空度较低,为罗茨泵机组或扩散泵一罗茨泵一机械泵组。一般蒸镀室要达到的真空度为1x10-3Pamdash,2times,10-3Pa,而工作压力为1times,10-2Pamdash,2times,10-2Pa,而卷绕室真空度通常较蒸镀室低一个数量级。

东莞纳米喷涂厂家6、合理布置加热装置,一般加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一致7、工件架应与真空室体绝缘,工件架的设计应使工件膜层均匀。8、离子镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源,离子轰击电源应具有抑制非正常放电装置,维持工作稳定。9、真空室接不同电位的各部分绝缘电阻值的大小:①环境温度:10-30oC②相对湿度:不大于75%③冷却水进水温度:不高于25oC④冷却水质:城市自来水或相当质量的水⑤供电电源:380V三相50Hz或220V单相50Hz(由所用电器需要而定);电压波动范围:342-399V或198-231V;频率波动范围:49-51Hz。⑥设备所需的压缩空气,液氮,冷水、热水等。高真空镀膜机的用处蒸腾镀膜通常是加热靶材使外表组分以原子团或离子方式被蒸腾出来。并且沉降在基片外表,通过成膜进程(散点-岛状构造-迷走构造-层状生长)形成薄膜。关于溅射类镀膜,能够简单理解为使用电子或高能激光炮击靶材,并使外表组分以原子团或离子方式被溅射出来,并且终究堆积在基片外表,阅历成膜进程,终究形成薄膜。高真空镀膜机的特点1、真空镀膜机采用箱式结构,真空系统后置,便于操作和和维修;整机表面平整,便于清洁,特别适合放在净化间内作穿墙式安装。2、真空镀膜机真空系统抽速大,具有抽气时间短,真空度高,生产周期短等优点。?3、工件转动采用上部中心驱动,轴承带水冷,磁流体密封,转动平稳可靠。

真空镀膜中,镀膜机常用的蒸发源有电阻式加热蒸发源、电子束式加热蒸发源、空心热阴极等离子束蒸发源、感应式加热蒸发源    在设计蒸发源时,需注意事项是:①蒸发源要使膜材有较高的蒸发率,并能存贮足够的膜材;②蒸发率易控制;③长时间工作稳定性要好;④蒸发源需有较长的寿命,可靠性要高;⑤运转费用低,易于维护。从蒸镀材料方面来讲,蒸发源应能够蒸镀Al、Ti、Fe、Co、Cr及其合金,以及Si0、Si02、MgF、ZnS等。。

发生器产生的辉光放电气体能防止塑料薄膜起皱使用这套装置可以在极薄的塑料薄膜上镀上无折皱的多层膜,用于制磁带和薄膜太阳能电池等。该装置示意图见图1图1改进的卷绕式蒸镀装置近年来,高速低温溅射法发展很快,使高熔点金属如铬、钛、钨、钼等的沉积成膜成为可能。镀膜室直径1400mm,高2200mm的大型钟罩式溅射镀膜机和长mm,宽7.6mm的大型串列式溅射镀膜机已投入使用。最近,日本专利提出一种卷绕式溅射镀膜机,该机可镀两种不向的镀膜材料,并在溅射区和第二溅射区之间装温度控制装置(),加强对基材的冷却,保证在镀膜层较厚和沉积速度较快的情况下,基材不会发生卷缩和变形。该装置示意图见图1。真空室(1)装有溅射靶(4a4b)和阳极(14a14b),两个靶分别与直流电源(5a5b)相接,对塑料薄膜(8)进行溅射。辊筒(11a11b11c))有各自的冷却温度。。

1973年日本村山洋研制成了射频放电离子镀(RFIP)装置,其原理图如图10-22所示此装置真空度为10-1Pa~10-2Pa,蒸镀物质原子离化度为10%,加热用的频率线圈高7cm,用3铜丝绕制,共7圈。射频源频率为13.56MHz或18MHz,功率1kW~2kW,直流偏压0~1500V。    此装置分三个区域:以蒸发源为中心的蒸发区;以高频线圈为中心的离化区;以基板为中心的离子加速区。三者有机地结合在一起,可以镀金属膜、化合物膜及合金膜。由于镀膜时真空度较高,使镀层针孔少、膜质均匀致密、纯度高,对制作超导膜及光学膜特别有利。    射频放电离子镀优点:①蒸发、离化、加速三种过程分别独立控制,离化靠射频激励,而不是靠加速直流电场,基板周围不产生阴极暗区。②工作压力低,成膜质量好。③基板温度较低,较容易控制。其不足是:由于真空度高,绕射性较差;要求频率源与电极之间需有匹配箱,并随镀膜参数变化而调节;蒸发源与频率源之间易产生干扰;射频对人体有害,需加防护。。

此装置在高温下,在硅基片上外延生长硅单晶膜可制作出均匀膜层,膜层厚度1mu,m~2mu,m。。

真空镀膜中s枪磁控溅射镀膜不仅具有磁控溅射共同的ldquo,低温、ldquo,高速的特点,而且由于溅射靶有特殊靶形和冷却方式,还具有靶材利用率高、膜厚分布均匀、靶功率密度大和易于更换靶材等优点    典型的s枪磁控溅射靶结构如图10-16所示。它是由倒锥形阴极靶、水冷套、辅助阳极、永磁体、极靴、可拆卸屏蔽环和接地屏蔽罩等构件组成。阴极靶接几百伏的负电位,镀膜室壁接地,辅助阳极接地或接几十伏的正电位,基片通常接地(可以悬浮或偏压)。环状磁体在阴极靶表面形成曲线形磁场,与电场构成正交电磁场。电子在电磁场中作摆线加螺旋线的复合运动,导致异常辉光放电。    辅助阳极能够吸收低能电子,减少电子对基片的轰击。水冷套与靶材之间应具有适当的配合间隙:当靶工作时,由于受热而紧紧地与水冷套贴在一起,保证散热效果;当靶不工作时,二者之间保持一定间隙,以便能够方便地更换靶材。可拆卸屏蔽环能够防止非靶材构件的溅射,并且可以拆卸下来清除沉积其上的膜层。其余构件的作用与其它磁控靶的构件相同。。