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某某机械轴承科技有限公司

在真空镀膜技术中,蒸友铝材占有重要的地位

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-12-14 5:12:14 * 浏览: 1

真空镀膜由于镀膜时真空度较高,使镀层针孔少、膜质均匀致密、纯度高,对制作超导膜及光学膜特别有利    射频放电离子镀优点:①蒸发、离化、加速三种过程分别独立控制,离化靠射频激励,而不是靠加速直流电场,基板周围不产生阴极暗区。②工作压力低,成膜质量好。③基板温度较低,较容易控制。其不足是:由于真空度高,绕射性较差;要求频率源与电极之间需有匹配箱,并随镀膜参数变化而调节;蒸发源与频率源之间易产生干扰;射频对人体有害,需加防护。。

PVD镀膜用CVD方法制作金属薄膜,几乎适用手所有的金属,但一般低熔点金属不必用CVD方法制膜,用蒸镀和离子镀方法可以得到优质薄膜CVD制金属膜,仅用于制作熔点高、硬度大的膜,如Ta、Mo、W、Re等金属膜。用CVD法还可以制作微细晶粒的纯致密金属,制造形状复杂的金属制品,如钨坩埚、管件、喷嘴等。CVD法涂覆难熔金属的反应式及温度由表10-21给出。。

纳米真空电镀 电阻加热、高频加热、电子束加热方式各有特点,其性能比较见表10-3。

五金烤漆    按薄膜功能分类,溅射膜可为分电气、磁学、光学、机械、化学和装饰等几大类,见表10-11。

纳米喷涂图10-2为丝状源简图,图10-3为舟状源简图    目前用于电阻加热式热源的材料有W、Ta、Mo、Nb等高融点金属,有时也用Fe、Ni、Ni-Cr合金等,其中z*常用的是钼片和钨丝。    (2)铝蒸发用坩埚加热器。在真空镀膜技术中,蒸友铝材占有重要的地位。在电子工业,光学零件特别是轻工业中蒸镀铝膜是非常普遍的。    ①石墨坩埚加热器。一般认为,连续式蒸发设备所使用的蒸发源应具备的性能是:蒸发效率应足够高;使用寿命应足够长;坩埚与蒸发材料不发生反应;能长时间稳定地蒸发并能自动补充蒸发材料。根据这些要求,目前所采用的加热方式有电阻加热、高频加热和电子束加热。在大多数镀铝设备中,采用z*多的还是直接通电的电阻加热蒸发源。蒸发源所用的坩埚材料一般为难熔金属(如W、Mo、Ta)和石墨。前者多用于间歇式蒸发设备中,后者多用于连续式蒸发设备中。

它们的工作原理是相同的,以图10-11说明如下:电子在电场作用下,加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞若电子具有足够的能量(约为30eV)时,则电离出Ar+并产生电子。电子飞向基片,Ar+在电场作用下加速飞向阴极(溅射靶)并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子(或分子)沉积在基片上形成薄膜;二次电子e1在加速飞向基片时受磁场B的洛仑兹力作用,以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。该电子e1的运动路径不仅很长,而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内。在该区中电离出大量的离子Ar+用来轰击靶材,因此磁控溅射具有沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加,电子e1的能量逐渐降低,同时e1逐步远离靶面。低能电子e1将如图10-11中e3那样沿着磁力线来回振荡,待电子能量将耗尽时,在电场E的作用下z*终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传给基片的能量很小,使基片温升较低。在磁极轴线处电场与磁场平行,电子e2将直接飞向基片。但是,在磁控溅射装置中,磁极轴线处离子密度很低,所以e2类电子很少,对基片温升作用不大。

把PVDF薄膜和铝盖板固定在转动圆盘上把铝丝穿放在螺旋加热子内。清理钟罩内各部位,保证无任何杂质污物。5、落下钟罩。6、启动真空镀膜设备抽真空机械泵。7、开复合真空计电源(复合真空计型号:Fzh-1A)。8、多弧离子镀膜机当低真空表“2”内指针再次顺时针移动至6.7Pa时,低压阀推入。9、真空镀膜设备开通冷却水,启动扩散泵,加热40min。10、低压阀拉出。立式单开门镀膜机重复一次⑦动作程序:左下旋钮“1”转至指向2区段测量位置。低真空表“2”内指针顺时针移动,当指针移动至6.7Pa时,开高压阀。

图10-28给出了外延生长硅单晶膜CVD装置简图此装置在高温下,在硅基片上外延生长硅单晶膜。可制作出均匀膜层,膜层厚度1mu,m~2mu,m。。

离子镀应用领域见表10-14。

真空镀膜设备主要类型有真空蒸发镀膜设备、磁控溅射镀膜设备、离子镀膜设备、化学气相沉积镀膜设备等  各类镀膜设备主要性能见表10-32~表10-35。。