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某某机械轴承科技有限公司

目前各类镀膜设备基本齐全种类繁多

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-11-21 4:19:50 * 浏览: 0

PVD电镀目前各类镀膜设备基本齐全,种类繁多,满足了各行业的需要真空镀膜设备主要类型有真空蒸发镀膜设备、磁控溅射镀膜设备、离子镀膜设备、化学气相沉积镀膜设备等。各类镀膜设备及生产厂家见表10-31。。

纳米真空电镀    原子溅射产额与入射离子能量有关,只有离子能量超过溅射阈值能量时才能发生溅射当离子能量超过阈值后,随着离子能量增加,在150eV以前,溅射产额与离子能量平方成正比;在150eVmdash,1keV范围与离子能量成正比,在1keV~10keV范围内基本不变。当用惰性气体氩离子及氖离子轰击靶材时,由于能量不同,溅射产额亦不同。    表10-8给出了500eV的离子溅射产额。    各种溅射方法镀膜原理及特点由表10-9给出。。

五金烤漆    对经过清洗处理的清洁表面,不能在大气环境中存放,要用封闭容器或保洁柜贮存,以减小灰尘的沾污用刚氧化的铝容器贮存玻璃衬底,可使碳氢化合物蒸气的吸附减至z*小。因为这些容器优先吸附碳氢化合物。对于高度不稳定的、对水蒸气敏感的表面,一般应贮存在真空干燥箱中。    清除镀膜室内的灰尘,设置清洁度高的工作间,保持室内高度清洁是镀膜工艺对环境的基本要求。空气湿度大的地区,除镀前要对基片、真空室内各部件认真清洗外,还要进行烘烤除气。要防止油带入真空室内,注意油扩散泵返油,对加热功率高的扩散泵必须采取挡油措施。。

塑胶喷涂一般认为,连续式蒸发设备所使用的蒸发源应具备的性能是:蒸发效率应足够高;使用寿命应足够长;坩埚与蒸发材料不发生反应;能长时间稳定地蒸发并能自动补充蒸发材料根据这些要求,目前所采用的加热方式有电阻加热、高频加热和电子束加热。在大多数镀铝设备中,采用z*多的还是直接通电的电阻加热蒸发源。蒸发源所用的坩埚材料一般为难熔金属(如W、Mo、Ta)和石墨。前者多用于间歇式蒸发设备中,后者多用于连续式蒸发设备中。    ②氮化硼合成导电陶瓷加热器。为了获得比石墨更加理想的蒸发器材料,在真空镀膜设备中,广泛采用了一种新的蒸发器,即氮化硼合成导电陶瓷加热器。这种加热器是由耐腐蚀、耐热性能优良的氧化物、硼化物等材料通过热压、涂敷而成的一种具有导电性的陶瓷材料。。

pvd真空电镀    典型的s枪磁控溅射靶结构如图10-16所示它是由倒锥形阴极靶、水冷套、辅助阳极、永磁体、极靴、可拆卸屏蔽环和接地屏蔽罩等构件组成。阴极靶接几百伏的负电位,镀膜室壁接地,辅助阳极接地或接几十伏的正电位,基片通常接地(可以悬浮或偏压)。环状磁体在阴极靶表面形成曲线形磁场,与电场构成正交电磁场。电子在电磁场中作摆线加螺旋线的复合运动,导致异常辉光放电。    辅助阳极能够吸收低能电子,减少电子对基片的轰击。水冷套与靶材之间应具有适当的配合间隙:当靶工作时,由于受热而紧紧地与水冷套贴在一起,保证散热效果;当靶不工作时,二者之间保持一定间隙,以便能够方便地更换靶材。可拆卸屏蔽环能够防止非靶材构件的溅射,并且可以拆卸下来清除沉积其上的膜层。其余构件的作用与其它磁控靶的构件相同。。

现在加上中频磁控溅射靶用磁控射靶将膜体的蒸发分子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜,解决了过去自然蒸发无法加工的膜体品种,如镀钛镀锆等等    你中频设备必须加冷却水,原因是它的频率高电流大。电流在导体流动时有一个集肤效应,电荷会聚集在电导有表面积,这样使电导发热所以采用中孔管做导体中间加水冷却。    (主要是圆柱靶)为什么也要用水冷却?磁控溅射靶在发射时会产生高温会使射枪变形,所以它有一个水套来冷却射枪。同时还有一个重要原因磁控溅射可以被认为是镀膜技术中z*突出的成就之一。它以溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好。    从更深层次研究电子在非均匀电磁场中的运动规律探讨了磁控溅射的更一般原理以及磁场的横向不均匀性及对称性是磁约束的本质原因。磁控溅射可以被认为是镀膜技术中z*突出的成就之一。它以溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好、装置性能稳定。    冷水机是一种水冷却设备,能提供恒温、恒流、恒压的冷却水设备。其工作原理是先向机内水箱注入一定量的水,通过制冷系统将水冷却,再由水泵将低温冷却水送入需冷却的设备,冷冻水将热量带走后温度升高再回流到水箱,达到冷却的作用。

电阻加热、高频加热、电子束加热方式各有特点,其性能比较见表10-3。

用CVD方法制作金属薄膜,几乎适用手所有的金属,但一般低熔点金属不必用CVD方法制膜,用蒸镀和离子镀方法可以得到优质薄膜CVD制金属膜,仅用于制作熔点高、硬度大的膜,如Ta、Mo、W、Re等金属膜。用CVD法还可以制作微细晶粒的纯致密金属,制造形状复杂的金属制品,如钨坩埚、管件、喷嘴等。CVD法涂覆难熔金属的反应式及温度由表10-21给出。。

图10-28给出了外延生长硅单晶膜CVD装置简图此装置在高温下,在硅基片上外延生长硅单晶膜。可制作出均匀膜层,膜层厚度1mu,m~2mu,m。。

蒸发镀各种坩埚材料性能见表10-6。