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东莞高精度真空镀膜工厂

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2021-02-08 2:32:59 * 浏览: 2

东莞电镀加工    电子束加热原理是基于电子在电场作用下,获得动能打到膜材上,使膜材加热气化,实现蒸发镀膜    电子束加热源有如下优点。    ①能获得远比电阻热源更大的能量密度,数值可达到104W/cmsup2,~109W/cmsup2,,因此可以将膜材表面加热到3000℃~6000℃。为蒸镀难溶金属和非金属材料如W、Mo、Ge、Si02、A1203等提供了良好的热源。而且由于被蒸镀的材料是放在水冷坩埚内的,因而可以避免坩埚材料蒸发及其与膜材之间的反应,这对提高膜的纯度是极为重要的。    ②热量可直接加到膜材表面上,热效率高,热传层和热辐射损失少。    电子束加热的缺点是电子枪结构较复杂,而且加速电压较高,高压下所产生的X射线对人有害。此外,由于电子轰击,对多数化合物易产生分解作用,因此不宜蒸镀化合物薄膜。    (1)磁偏转式电子束加热蒸发源    电子束作为熔化膜材的热源,其种类较多,诸如熔滴式、直枪式、环式等。由于这些热源在用于真空蒸镀设备上均存在许多缺点,因此已被磁偏转式电子束热源所代替。    磁偏转式电子束蒸发源所发射的电子轨迹与e相似,故有e型电子束源之称,简称e型枪。

真空电镀工艺图10-31为热壁反应室结构简图,减压装置的工作压力为10Pa~1000Pa。

东莞表面处理厂家此装置原理图如图10-30所示采用高频加热,温度可达1300℃mdash,1800℃,膜生长速率为0.2mu,m/min~1.0mu,m/min。。

PVD镀膜表10-23给出了各种化合物薄膜形成方式,成膜条件、膜的特点及用途。

电镀费用各种蒸发器材料所适用的蒸发金属(膜材),其匹配性见表10-5。

这些污染物基本上均可采用去油或化学清洗方法将其去掉    实验室及工业上常用的基片清洗方法见表15-12。几种常用的镀前处理工艺过程及配方见表15-13。。

CVD法涂覆难熔金属的反应式及温度由表10-21给出。

此装置在高温下,在硅基片上外延生长硅单晶膜可制作出均匀膜层,膜层厚度1mu,m~2mu,m。。

    卷绕镀膜机真空抽气系统分上室下室两组,下室为蒸镀室,要求真空度高,主泵多为油扩散泵上室为基材卷绕室,要求真空度较低,为罗茨泵机组或扩散泵一罗茨泵一机械泵组。一般蒸镀室要达到的真空度为1x10-3Pamdash,2times,10-3Pa,而工作压力为1times,10-2Pamdash,2times,10-2Pa,而卷绕室真空度通常较蒸镀室低一个数量级。有时卷绕镀膜机以增扩泵(油扩散泵的一种)为主泵,它的极限压力虽然不及油扩散泵,但其抽速范围向高压方向延伸一个数量级,非常适宜此类蒸发的镀膜过程。    目前国内卷绕式镀膜机蒸发源多采用坩埚蒸发,其材质有氮化硼、石墨、钼等。氮化硼由于电学及热学性能好,使用寿命长,因而较为普遍地应用于卷绕镀膜机中。每个坩埚的加热功率为6kWmdash,8kW,加热电压为10Vmdash,12V。坩埚数量由基材幅宽来确定。辐宽愈宽坩埚数量愈多。幅宽500mm时4只坩埚,800mm时7只坩埚,1300mm时12只坩埚。坩埚分布是不均匀的,中间部分间距大些,在基材边缘处间距小,有的z*外侧坩埚与基材幅宽边缘重合。

此装置简图如图10-29所示装置采用射频感应加热,反应在基片与感应体附近发生,管壁沉积很少,硅膜生长速率为1mu,m/minmdash,3mu,m/min。。